【会员动态】集成创新——实现国产IGBT芯片封装技术新突破

编辑时间: 01-09    关键字:

 

上海共晶电子科技有限公司立足大功率半导体器件封装行业核心技术诉求,以系统集成创新模式开发行业共性关键技术及工艺材料和装备。

公司近期完成了大功率国产IGBT芯片应力压接式双面散热分立器件封装技术的研发和工艺及材料装备验证,批量封装样品经第三方检测:对标国际先进产品,封装热阻下降30%,可靠性检测达到AEC-Q101 Ⅰ级产品标准。

 

该项技术系统集成了本公司具有原创性和自主知识产权的多项技术,主要包含:


1.真空压接焊芯片低热阻固晶技术

对同质或异质衬底的半导体芯片均可实现低热阻和高结合力固晶,相对于纳米银烧结固晶具有不可比拟的性价比和产能效率优势。


2.特配改性塑封材料

具有高导热,高耐热,高强度,高耐电强度,低介电常数。优良热流动性及密封和耐候特性的塑封材料,保障制成品的热电可靠性。


3.无重熔多级异质塑封技术

无重熔控制,多级高压分注,异质材料温度界面控制注塑工艺及装备,为芯片的高阶工程化应用及高良品率,低成本塑封,提供高可靠性的技术支持。


大功率国产IGBT芯片应力压接式双面散热分立器件封装技术的成功,将国内业界的发展和市场格局产生积极的影响。

其一,由于封装热阻的大幅度可以对IGBT芯片的工艺制程进行优化,弥补国内芯片减薄工艺的技术和装备的短板,提高良品率降低工艺成本,进而提升市场竞争力。

 

其二,无引线全铜材质芯片间互联压接和双面散热结构保证了,大幅度降低了器件失效概率和寄生效应,使器件的可靠性及综合品质大幅度提高。达到AEC-Q101标准的车规级要求;为改变我国车规级大功率器件90%(近500亿)依赖进口的市场格局构建了坚实的技术支持。

 

其三,应力压接式双面散热IGBT分立器件既可以作为分立器件使用,也可以作为压接式IPM的子单元使用,用户可根据技术要求灵活组合。将彻底改变压接式IPM市场为少数国外大公司垄断的格局。

 

上海共晶电子科技有限公司立足主流国产芯片技术,历时十几年的研发和技术积累,已构建了从一至三代跨代际的大功率半导体器件低热阻封装的技术和工艺及装备体系。涵盖同质衬底SiC, 异质衬底GaN大功率器件,高阶SiMOSFET, IGBT大功率器件低热阻封装;构建的工程化技术体系可为提高我国高阶大功率半导体芯片及器件的产业升级,建立自主可控的产业链。以及替代进口实现全面国产化提高可靠坚实的技术和工艺装备支持。
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联系电话:0755-8365 2728

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